脉冲激光沉积系统03

仪器功能：

      可生长质量优异的单晶外延薄膜、铁电薄膜、半导体薄膜以及各种组分的超晶格薄膜等；同时可精确控制外延生长薄膜的厚度，范围几纳米~八百纳米左右；主腔极限真空度约为10-7Pa；生长温度最高可达800℃；准分子激光器波长为248nm。

放置地点：交叉科研楼楼南楼322室            仪器管理员：郝林

邮箱：haolin@hmfl.ac.cn                             联系电话：15205511390