脉冲激光沉积系统02
仪器功能:
可生长质量优异的单晶外延薄膜、压电薄膜、铁电薄膜、热电薄膜、金属和化合物薄膜电极、半导体薄膜等;同时可精确控制外延生长薄膜的厚度,范围几纳米~八百纳米左右;极限真空度<6.67×10-6Pa;生长温度最高可达800°C;准分子激光器波长为248nm。
放置地点:交叉科研楼楼南楼330室 仪器管理员:陈峰
邮箱:fchen@hmfl.ac.cn 联系电话:133 3919 4890